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S4J V7G

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Artikelnummer
S4J V7G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
S4J V7G.pdf
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Artikelnummer
S4J V7G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.15V @ 4A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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