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CSD87312Q3E

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Artikelnummer
CSD87312Q3E
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD87312Q3E.pdf
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Artikelnummer
CSD87312Q3E
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 15V
Leistung max
2.5W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
8-VSON (3.3x3.3)

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