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IPA80R1K4CEXKSA2

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Artikelnummer
IPA80R1K4CEXKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPA80R1K4CEXKSA2.pdf
Gesamt:$1.62000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.62000

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Artikelnummer
IPA80R1K4CEXKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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