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RV2C014BCT2CL

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Artikelnummer
RV2C014BCT2CL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RV2C014BCT2CL.pdf
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Artikelnummer
RV2C014BCT2CL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
700mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN1006-3
Paket / fall
3-XFDFN

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