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RF4E080BNTR

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Artikelnummer
RF4E080BNTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
RF4E080BNTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.6 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
HUML2020L8
Paket / fall
8-PowerUDFN

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