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TK31V60W5,LVQ

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Artikelnummer
TK31V60W5,LVQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.96700
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.96700

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Artikelnummer
TK31V60W5,LVQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall
4-VSFN Exposed Pad

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