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DMP2007UFG-13

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Artikelnummer
DMP2007UFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMP2007UFG-13.pdf
Gesamt:$0.37695
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$0.37695

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Artikelnummer
DMP2007UFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4621pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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