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TSM05N03CW RPG

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Artikelnummer
TSM05N03CW RPG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM05N03CW RPG.pdf
Gesamt:$0.14182
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
TSM05N03CW RPG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
555pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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