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FGB40N6S2T

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Artikelnummer
FGB40N6S2T
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 75A 290W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FGB40N6S2T.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
FGB40N6S2T
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 75A 290W TO263AB
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
180A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Leistung max
290W
Energie wechseln
115µJ (on), 195µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
35nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
8ns/35ns
Testbedingung
390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB

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