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SI5403DC-T1-GE3

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Artikelnummer
SI5403DC-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.49200
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.49200

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Artikelnummer
SI5403DC-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1340pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead

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