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NTMD6P02R2G

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Artikelnummer
NTMD6P02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.38608
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.38608

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Artikelnummer
NTMD6P02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
Leistung max
750mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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