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IPD60R1K5CEAUMA1

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Artikelnummer
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD60R1K5CEAUMA1.pdf
Gesamt:$0.27326
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Artikelnummer
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
49W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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