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CSD86330Q3D

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Artikelnummer
CSD86330Q3D
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD86330Q3D.pdf
Gesamt:$0.86800
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.86800

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Artikelnummer
CSD86330Q3D
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 12.5V
Leistung max
6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerLDFN
Supplier Device Package
8-LSON (3.3x3.3)

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