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FDMS0310AS

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Artikelnummer
FDMS0310AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A PT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMS0310AS.pdf
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Artikelnummer
FDMS0310AS
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 19A PT8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
19A (Ta), 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2280pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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