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QJD1210010

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Artikelnummer
QJD1210010
Hersteller
Powerex, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
QJD1210010.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
QJD1210010
Hersteller
Powerex, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
Leistung max
1080W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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