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SQJ200EP-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJ200EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJ200EP-T1_GE3.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SQJ200EP-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 10V
Leistung max
27W, 48W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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