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NTJS3151PT2G

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Artikelnummer
NTJS3151PT2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
NTJS3151PT2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
400mV @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 12V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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