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FGL60N100BNTD

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Artikelnummer
FGL60N100BNTD
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FGL60N100BNTD.pdf
Gesamt:$6.78000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$6.78000

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Artikelnummer
FGL60N100BNTD
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1000V 60A 180W TO264
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
NPT and Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1000V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Leistung max
180W
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
275nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
140ns/630ns
Testbedingung
600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
1.2µs
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package
TO-264-3

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