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DMT3009LDT-7

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Artikelnummer
DMT3009LDT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT3009LDT-7.pdf
Gesamt:$0.44335
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.44335

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Artikelnummer
DMT3009LDT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Leistung max
1.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
V-DFN3030-8 (Type K)

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