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DMG4468LK3-13

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Artikelnummer
DMG4468LK3-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG4468LK3-13.pdf
Gesamt:$0.23812
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Artikelnummer
DMG4468LK3-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.95V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.85nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
867pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.68W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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