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SIA448DJ-T1-GE3

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Artikelnummer
SIA448DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIA448DJ-T1-GE3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SIA448DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 12.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 1V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall
PowerPAK® SC-70-6

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