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TK70D06J1(Q)

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Artikelnummer
TK70D06J1(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TK70D06J1(Q).pdf
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Artikelnummer
TK70D06J1(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
70A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5450pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220(W)
Paket / fall
TO-220-3

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