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RSJ10HN06TL

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Artikelnummer
RSJ10HN06TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RSJ10HN06TL.pdf
Gesamt:$3.15000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.15000

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Artikelnummer
RSJ10HN06TL
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
202nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
11000pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
LPTS
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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