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TPN1110ENH,L1Q

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Artikelnummer
TPN1110ENH,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.61880
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$0.61880

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Artikelnummer
TPN1110ENH,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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