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TK8P60W5,RVQ

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Artikelnummer
TK8P60W5,RVQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
TK8P60W5,RVQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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