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IPD50R380CEAUMA1

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Artikelnummer
IPD50R380CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD50R380CEAUMA1.pdf
Gesamt:$0.49046
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(In US-Dollar)
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$0.49046

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Artikelnummer
IPD50R380CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
584pF @ 100V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
98W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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