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SI7455DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7455DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7455DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$1.41075
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.41075

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Artikelnummer
SI7455DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5160pF @ 40V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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