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IPT60R080G7XTMA1

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Artikelnummer
IPT60R080G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPT60R080G7XTMA1.pdf
Gesamt:$3.72072
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.72072

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Artikelnummer
IPT60R080G7XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-2
Paket / fall
8-PowerSFN

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