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FQA6N80_F109

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Artikelnummer
FQA6N80_F109
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FQA6N80_F109.pdf
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Artikelnummer
FQA6N80_F109
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
185W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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