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IXFK210N17T

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Artikelnummer
IXFK210N17T
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFK210N17T.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IXFK210N17T
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
170V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
285nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
18800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Paket / fall
TO-264-3, TO-264AA

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