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FCD360N65S3R0

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Artikelnummer
FCD360N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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$0.76507

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Artikelnummer
FCD360N65S3R0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
SUPERFET3 650V DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
730pF @ 400V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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