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STS3DNE60L

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Artikelnummer
STS3DNE60L
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STS3DNE60L.pdf
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(In US-Dollar)
1Stck
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Artikelnummer
STS3DNE60L
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
815pF @ 25V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO

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