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STB11NM60T4

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Artikelnummer
STB11NM60T4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB11NM60T4.pdf
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(In US-Dollar)
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$2.02202

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Artikelnummer
STB11NM60T4
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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