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STW16N65M5

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Artikelnummer
STW16N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STW16N65M5.pdf
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Artikelnummer
STW16N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
279 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Paket / fall
TO-247-3

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