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APTM100A13SCG

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Artikelnummer
APTM100A13SCG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$253.57000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$253.57000

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Artikelnummer
APTM100A13SCG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
562nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
15200pF @ 25V
Leistung max
1250W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP6
Supplier Device Package
SP6

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