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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln NVD5C460NLT4G

NVD5C460NLT4G

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Artikelnummer
NVD5C460NLT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
T6 40V DPAK EXPANSION AND
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.45584
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.45584

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Artikelnummer
NVD5C460NLT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
T6 40V DPAK EXPANSION AND
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Ta), 73A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 47W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK (SINGLE GAUGE)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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