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RT1A060APTR

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Artikelnummer
RT1A060APTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
RT1A060APTR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSST
Paket / fall
8-SMD, Flat Lead

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