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DMNH6012LK3Q-13

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Artikelnummer
DMNH6012LK3Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET NCH 60V 80A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMNH6012LK3Q-13.pdf
Gesamt:$0.62188
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Artikelnummer
DMNH6012LK3Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET NCH 60V 80A TO252
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
35.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1926pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252-4L
Paket / fall
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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