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SIZ320DT-T1-GE3

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Artikelnummer
SIZ320DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIZ320DT-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.38121
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(In US-Dollar)
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$0.38121

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Artikelnummer
SIZ320DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Leistung max
16.7W, 31W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
8-Power33 (3x3)

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