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ES3J V6G

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Artikelnummer
ES3J V6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ES3J V6G.pdf
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Artikelnummer
ES3J V6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
-
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
30pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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