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TK40P03M1(T6RSS-Q)

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Artikelnummer
TK40P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
TK40P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DP
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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