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SCT3022KLGC11

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Artikelnummer
SCT3022KLGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$106.28000
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1Stck
$106.28000

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Artikelnummer
SCT3022KLGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
95A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
178nC @ 10V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2879pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
427W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Paket / fall
TO-247-3

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