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BAS19LT1G

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Artikelnummer
BAS19LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.02052
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.02052

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Artikelnummer
BAS19LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
120V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 200mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
100nA @ 100V
Kapazität @ Vr, F
5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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