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EPC2101ENGRT

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Artikelnummer
EPC2101ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2101ENGRT.pdf
Gesamt:$4.77400
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.77400

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Artikelnummer
EPC2101ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
Leistung max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Die
Supplier Device Package
Die

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