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SCT3030ALGC11

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Artikelnummer
SCT3030ALGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$25.60000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$25.60000

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Artikelnummer
SCT3030ALGC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 18V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1526pF @ 500V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
262W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247N
Paket / fall
TO-247-3

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