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IDB30E60ATMA1

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Artikelnummer
IDB30E60ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IDB30E60ATMA1.pdf
Gesamt:$1.37373
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Artikelnummer
IDB30E60ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
52.3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
2V @ 30A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
126ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur - Übergang
-40°C ~ 175°C

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