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1N1206A

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Artikelnummer
1N1206A
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N1206A.pdf
Gesamt:$4.10428
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.10428

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Artikelnummer
1N1206A
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 12A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Chassis, Stud Mount
Paket / fall
DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package
DO-4
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 200°C

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