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1N6481-E3/96

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Artikelnummer
1N6481-E3/96
Hersteller
Vishay
Beschreibung
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N6481-E3/96.pdf
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Artikelnummer
1N6481-E3/96
Hersteller
Vishay
Beschreibung
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F
8pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package
DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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