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DMN1260UFA-7B

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Artikelnummer
DMN1260UFA-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN1260UFA-7B.pdf
Gesamt:$0.06468
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(In US-Dollar)
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$0.06468

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Artikelnummer
DMN1260UFA-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
366 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.96nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
X2-DFN0806-3
Paket / fall
3-XFDFN

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