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DMN3023L-13

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Artikelnummer
DMN3023L-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3023L-13.pdf
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Artikelnummer
DMN3023L-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
873pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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